低濃度CeO₂/SiO₂復合磨料對硅片CMP性能的影響

摘要： 為了在硅襯底化學機械平坦化(CMP)過程中提高對硅襯底的去除速率,同時獲得良好的表面質量,選用了CeO₂包覆SiO₂的殼核結構復合磨料,研究其在低濃度下對硅襯底去除速率和表面質量的影響。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、光電子能譜(XPS)對CeO₂/SiO₂復合磨料樣品的結構、形貌進行了表征,表明其具有完整包覆的殼核結構。BET比表面積和摩擦系數(shù)測試顯示,在相似粒徑下Ce... （共8頁）