過(guò)渡金屬摻雜對(duì)二維TiSi₂N₄的電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)影響

摘要： 基于密度泛函理論(DFT)的第一性原理研究Co、Fe、Ni替位摻雜2D TiSi₂N₄后的晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)以及光學(xué)性質(zhì)。本征2D TiSi₂N₄的帶隙為2.799 eV,為間接帶隙半導(dǎo)體，且通過(guò)3種金屬摻雜后變?yōu)橹苯訋栋雽?dǎo)體；自旋向下的能帶主要貢獻(xiàn)來(lái)自于N-p軌道，Co、Ni摻雜后的2D TiSi₂N₄在禁帶中分別引入2條和4條施主雜質(zhì)能級(jí)，使得禁帶寬度變窄，增... （共7頁(yè)）